
當(dāng)你的FIB還在為尋找那個(gè)確切的失效點(diǎn)而耗時(shí)數(shù)小時(shí),徠卡顯微系統(tǒng)的制樣方案已讓目標(biāo)界面在電鏡下清晰呈現(xiàn)。
半導(dǎo)體失效分析工程師都明白一個(gè)殘酷現(xiàn)實(shí):制樣階段的任何偏差,都會(huì)導(dǎo)致后續(xù)數(shù)百萬(wàn)電鏡分析走向錯(cuò)誤方向。 隨著芯片工藝進(jìn)入3納米時(shí)代,傳統(tǒng)制樣方法已無(wú)法滿足對(duì)3D封裝、異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的分析需求。
徠卡顯微系統(tǒng)電鏡制樣系統(tǒng)通過(guò) “光學(xué)精確定位+無(wú)應(yīng)力加工” 的組合,確保您從第一微米就走在正確的分析道路上。
核心痛點(diǎn):為什么你的失效分析總在第一步就輸了?
1、定位失準(zhǔn):在復(fù)雜封裝結(jié)構(gòu)中,無(wú)法精準(zhǔn)定位到微米級(jí)失效點(diǎn),浪費(fèi)時(shí)間在非目標(biāo)區(qū)域
2、假象引入:機(jī)械切割帶來(lái)的熱損傷和應(yīng)力變形,掩蓋真實(shí)失效機(jī)理
3、效率低下:單個(gè)樣品前處理耗時(shí)數(shù)小時(shí)甚至數(shù)天,延誤問(wèn)題解決周期
4、結(jié)果不可靠:制樣不一致導(dǎo)致分析結(jié)果無(wú)法復(fù)現(xiàn),影響根本原因判斷
徠卡顯微系統(tǒng)解決方案:專為半導(dǎo)體失效
分析設(shè)計(jì)的制樣系統(tǒng)
精研一體機(jī) (EM TXP) + 三離子束研磨儀 (EM TIC 3X) 組合方案
1、精準(zhǔn)到微米的定位能力:集成高分辨率光學(xué)系統(tǒng),加工同時(shí)實(shí)時(shí)觀察,實(shí)現(xiàn)“所見(jiàn)即所得”的定點(diǎn)制樣
2、零應(yīng)力損傷的最終表面:三離子束拋光技術(shù)徹底去除機(jī)械損傷層,暴露材料真實(shí)結(jié)構(gòu),無(wú)熱影響區(qū)
3、應(yīng)對(duì)各種材料的靈活性:從硬質(zhì)SiC到軟質(zhì)聚合物,從室溫到-150°C冷凍切割,全覆蓋半導(dǎo)體材料
4、行業(yè)驗(yàn)證的可靠性:全球頂尖半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室選擇,為3D IC、先進(jìn)封裝、功率器件提供可信制樣基礎(chǔ)

Leica EM TXP

Leica EM TIC 3X
應(yīng)用場(chǎng)景:解決您的具體分析難題
先進(jìn)封裝失效分析
微凸點(diǎn)連接失效分析
前道工藝缺陷排查
晶體管柵極結(jié)構(gòu)截面
接觸孔形貌表征
薄膜界面質(zhì)量評(píng)估
功率電子器件分析
SiC/GaN器件界面缺陷
散熱結(jié)構(gòu)完整性
鍵合線連接可靠性
案例展示
01. 面板觀察表面:逐層拋光,去除薄膜二極管或電路表面有機(jī)層(LM image)









1、速度與精度的平衡:數(shù)小時(shí)內(nèi)完成從宏觀樣品到電鏡可觀察樣品的制備
2、結(jié)果的可重復(fù)性:程序化存儲(chǔ)加工參數(shù),確保批次分析結(jié)果一致可比
3、完整的生態(tài)支持:從制樣到鍍膜再到傳輸,提供一站式解決方案,無(wú)縫對(duì)接各品牌電鏡
4、全球?qū)<揖W(wǎng)絡(luò):資深應(yīng)用團(tuán)隊(duì)提供半導(dǎo)體專項(xiàng)支持,分享最新制樣方法與技巧
為您的電鏡分析提供無(wú)可置疑的起點(diǎn)
徠卡顯微系統(tǒng)制樣系統(tǒng)確保您的失效分析從第一步就建立在精準(zhǔn)、真實(shí)、高效的基礎(chǔ)上。當(dāng)樣品完美制備,電鏡下的真相自然浮現(xiàn)。